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參數資料
| 型號： | 2SD1758F5P |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 32V的五（巴西）總裁|甲一（c）|至252 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 123K |
| 代理商： | 2SD1758F5P |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1758F5Q | TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252 |
| 2SD1758F5R | TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252 |
| 2SD1759F5 | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 40V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252VAR |
| 2SD1760F5 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252VAR |
| 2SD1760F5P | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD1758Q | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1758TLP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1758TLQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1758TLR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1759TL | 功能描述:達林頓晶體管 NPN 40V 2A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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