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參數資料
| 型號： | 2SD1760F5Q |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 50V五（巴西）總裁| 3A條一（c）|至252 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 123K |
| 代理商： | 2SD1760F5Q |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1760F5R | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252 |
| 2SD1760TLP | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | SC-63 |
| 2SD1760TLQ | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | SC-63 |
| 2SD1760TLR | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | SC-63 |
| 2SD1766P | TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 2A I(C) | SC-62 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD1760FRATLR | 制造商:ROHM SEMICONDUCTOR 功能描述:HIGH REL TRANS GP BJT NPN 50V 3A TR |
| 2SD1760TL/Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1760TLP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1760TLQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT D-PAK;BCE NPN;DRIVER SMT HFE RANK Q RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1760TLR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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