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參數資料
型號: 2SD1762/E
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 3 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP
封裝: TO-220FP, 3 PIN
文件頁數: 1/4頁
文件大小: 153K
代理商: 2SD1762/E
(96-214-D57)
FExternal dimensions (Units: mm)
264
Transistors
Power Transistor (50V, 3A)
2SD1760 / 2SD1864 / 2SD1762
FFeatures
1) Low VCE(sat),
VCE(sat) = 0.5V (Typ.)
(IC /IB = 2A / 0.2A)
2) Complements the
2SB1184 / 2SB1243 / 2SB1185.
FStructure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
相關PDF資料
PDF描述
2SD1762F 3 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP
2SD1762/F 3 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP
2SD1766T100/QR 2 A, 32 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1766T100PR 2000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1766T100/PQ 2 A, 32 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
2SD1762EF 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD1763AE 功能描述:TRANS NPN 160V 1.5A TO220FP RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1766T100P 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1766T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1766T100R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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