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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD1767P |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 700 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 109K |
| 代理商： | 2SD1767P |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2098S | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD2195T100C | 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1827S | 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1827R | 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1767T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 0.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1767T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 0.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1768STPQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN DRIVER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1768STPR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN 80V 1A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD177 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTORTO-3120V 10A 100W BEC |
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