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參數資料
| 型號： | 2SD1779-K-AZ |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 137K |
| 代理商： | 2SD1779-K-AZ |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1784TE12R | 1500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1784TE12L | 1500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1799TP-FA | 3000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1799TP | 3000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1800TP-FA | 1500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD178 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1780-K-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SD1781KT146 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SD1781KT146Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 0.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1781KT146R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 0.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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