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參數(shù)資料
型號(hào): 2SD1782KP
英文描述: Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 80V的五(巴西)總裁| 500mA的一(c)|律師- 59
文件頁(yè)數(shù): 1/2頁(yè)
文件大小: 123K
代理商: 2SD1782KP
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PDF描述
2SD1864TV2P Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SD1864TV2Q TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | SIP
2SD1864TV2R Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SD1921 TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SIP
2SD1761 TRIPLE DIFFUSED PLANAR NPN SILICON TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SD1782KT146Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1782KT146R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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