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參數資料
| 型號： | 2SD1789 |
| 廠商： | Shindengen Electric Manufacturing Company, Ltd. |
| 英文描述： | Darlington Transistor(【 4A NPN) |
| 中文描述： | 達林頓晶體管（【第4A NPN）的 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 463K |
| 代理商： | 2SD1789 |
Unit : mm
RATINGS
SHINDENGEN
Darlington Transistor
OUTLINE DIMENSIONS
Case : ITO-220
4A NPN
2SD1789
(TP4L20)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD1789-4000 | 功能描述:達林頓晶體管 V=200 IC=5 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SD1789-7000 | 功能描述:達林頓晶體管 V=200 IC=5 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SD1789-7012 | 功能描述:達林頓晶體管 V=200 IC=5 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SD1789-7100 | 功能描述:達林頓晶體管 V=200 IC=5 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SD1789-7112 | 功能描述:達林頓晶體管 V=200 IC=5 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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