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參數資料
| 型號： | 2SD1794 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 10 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | ITO-220, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 337K |
| 代理商： | 2SD1794 |
Unit : mm
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd
RATINGS
SHINDENGEN
OUTLINE DIMENSIONS
Case : ITO-220
DarlingtonTransistor
10A NPN
2SD1794
(TP10L20)
Absolute Maximum Ratings
Item
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Storage Temperature
Tstg
-55`+150
Junction Temperature
Tj
+150
Collector to Base Voltage
VCBO
200
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
200
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
7V
Collector Current DC
IC
10
A
Collector Current Peak
ICP
15
A
Base Current DC
IB
0.5
A
Base Current Peak
IBP
1.0
A
Total Transistor Dissipation
PT
Tc = 25
50
W
Dielectric Strength
Vdis
Terminals to case AC 1 minute
2kV
Mounting Torque
TOR
(Recommended torque : 0.3Nmj
0.5
Nm
Electrical Characteristics (Tc=25)
Item
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB = 200V
Max 0.1
mA
ICEO
VCE = 200V
Max 0.1
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB = 7V
Max 5
mA
DC Current Gain
hFE
VCE = 3V, IC = 5A
Min 1,500
Max 30,000
Collector to Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC = 5A
Max 1.5
V
Base to Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IB = 10mA
Max 2.0
V
Thermal Resistance
jc
Junction to case
Max 2.5
/W
Transition Frequency
fT
VCE = 10V, IC = 1A
TYP 20
MHz
Turn on Time
ton
Max 2
IC = 5A
Storage Time
ts
IB1 = IB2 = 10mA
Max 12
s
RL = 6
Fall Time
tf
VBB2 = 4V
Max 5
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PDF描述 |
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| 2SD1801R | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1201U | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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