型號: | 2SD1799 |
廠商: | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
英文描述: | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor for Driver Application(驅動器應用的NPN硅外延平面型達林頓晶體管) |
中文描述: | 瑞展硅晶體管(驅動器應用的npn型硅外延平面型達林頓晶體管的驅動應用) |
文件頁數: | 1/4頁 |
文件大小: | 78K |
代理商: | 2SD1799 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2SD1800 | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor for Driver Application(驅動器應用的NPN硅外延平面型達林頓晶體管) |
2SD1947A | 10 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
2SD1953 | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors for 120V/1.5A Driver Applications(120V/1.5A驅動器應用的NPN硅外延平面型晶體管) |
2SD2165M | 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
2SD2165L | 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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2SD1799-TL-E | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
2SD1801S-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD1801S-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD1801T-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD1801T-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |