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參數資料
| 型號： | 2SD1802R |
| 廠商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-252 |
| 封裝： | TO-252, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 283K |
| 代理商： | 2SD1802R |
UTC2SD1802 NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD
1
QW-R209-001,A
HIGH CURRENT SWITCHING
APPLICATION
DESCRIPTION
The UTC 2SD1802 applies to voltage regulators, relay
drivers, lamp drivers, and electrical equipment.
FEATURES
*Adoption of FBET, MBIT processes
*Large current capacity and wide ASO
*Low collector-to-emitter saturation voltage
*Fast switching speed
TO-252
1
1: BASE 2: COLLECTOR 3: EMITTER
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta=25°C ,unless otherwise specified )
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
60
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
50
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
6
V
Collector Power Dissipation
Tc=25
°C
Pc
1
15
W
Collector Current(DC)
Ic
3
A
Collector Current(PULSE)
Icp
6
A
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature
TSTG
-55 ~ +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=40V,IE=0
1
A
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=4V,IC=0
1
A
DC Current Gain (note)
hFE1
hFE2
VCE=2V, Ic=100mA
VCE=2V, Ic=3A
100
35
560
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=10V,IC=50mA
150
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=10V,f=1MHz
25
pF
C-E Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=2A,IB=100mA
0.19
0.5
V
B-E Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=2A,IB=100mA
0.94
1.2
V
C-B Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=10A,IE=0
60
V
C-E Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=1mA,RBE=∞
50
V
E-B Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=10A,IC=0
6
V
Turn-on Time
ton
See test circuit
70
ns
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1802S | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-252 |
| 2SD1805GTP-FA | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1805FTP | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1805GTP | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1805TP | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD1802S-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1802S-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1802T-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1802TTLE | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述: |
| 2SD1802T-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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