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參數資料
| 型號： | 2SD1804G-T-TM3-T |
| 廠商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 8000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-251 |
| 封裝： | HALOGEN FREE PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 198K |
| 代理商： | 2SD1804G-T-TM3-T |
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SD1804
NPN SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
1 of 5
Copyright 2009 Unisonic Technologies Co., Ltd
QW-R209-006,D
HIGH CURRENT SWITCHING
APPLICATIONS
FEATURES
* Low collector-to-emitter saturation voltage
* High current and high fT
* Excellent linerarity of hFE.
* Fast switching time
* Small and slim package making it easy to make UTC 2SD1804
applied sets smaller.
Lead-free:
2SD1804L
Halogen-free:2SD1804G
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Pin Assignment
Normal
Lead Free
Halogen Free
Package
1
2
3
Packing
2SD1804-x-TM3-T 2SD1804L-x-TM3-T 2SD1804G-x-TM3-T
TO-251
B
C
E
Tube
2SD1804-x-TN3-R 2SD1804L-x-TN3-R 2SD1804G-x-TN3-R
TO-252
B
C
E
Tape Reel
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1804G-R-TM3-T | 8000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-251 |
| 2SD1804G-T-TN3-R | 8000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-252 |
| 2SD1804G-Q-TM3-T | 8000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-251 |
| 2SD1804G-Q-TN3-R | 8000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-252 |
| 2SD1804G-S-TN3-R | 8000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-252 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD1805 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1805F-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1805F-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1805G-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1805G-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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