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參數資料
| 型號： | 2SD1816L-S-TF3-T |
| 廠商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 237K |
| 代理商： | 2SD1816L-S-TF3-T |
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SD1816
NPN PLANAR TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
1 of 5
Copyright 2011 Unisonic Technologies Co., Ltd
QW-R209-011,C
HIGH CURRENT SWITCHIG
APPLICATIONS
FEATURES
* Low collector-to-emitter saturation voltage
* Good linearity of hFE
* Small and slim package facilitating compactness of sets.
* High fT
* Fast switching speed
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Pin Assignment
Lead Free
Halogen Free
Package
1
2
3
Packing
2SD1816L-x-TF3-T
2SD1816G-x-TF3-T
TO-220F
B
C
E
Tube
2SD1816L-x-TM3-T
2SD1816G-x-TM3-T
TO-251
B
C
E
Tube
2SD1816L-x-TN3-T
2SD1816G-x-TN3-T
TO-252
B
C
E
Tube
2SD1816L-x-TN3-R
2SD1816G-x-TN3-R
TO-252
B
C
E
Tape Reel
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1816L-Q-TF3-T | 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD1816G-T-TF3-T | 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD1817TP | 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1817TP | 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1817TP-FA | 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD1816S-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1816S-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1816S-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT HF LOW-NOISE AMPLIFIER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1816S-TL-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1816T-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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