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參數資料
| 型號： | 2SD1816R |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-252 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 100V的五（巴西）總裁| 4A條一（c）|至252 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 405K |
| 代理商： | 2SD1816R |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1835S | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SD1835T | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-92 |
| 2SD1835U | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-92 |
| 2SD1840P | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SD1840Q | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-247VAR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| 2SD1816S-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1816S-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT HF LOW-NOISE AMPLIFIER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1816S-TL-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1816T-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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