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參數資料
| 型號： | 2SD1819AQ |
| 英文描述： | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 50V五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|至236VAR |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 372K |
| 代理商： | 2SD1819AQ |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1819AR | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236VAR |
| 2SD1819AS | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236VAR |
| 2SD1820AQ | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236VAR |
| 2SD1820AR | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236VAR |
| 2SD1820AS | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236VAR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD1819AQL | 功能描述:TRANS NPN GP AMP 50VCEO SMINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1819ARL | 功能描述:TRANS NPN GP AMP 50VCEO SMINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1819ARS | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR |
| 2SD1819A-RS | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1819ASL | 功能描述:TRANS NPN GP AMP 50VCEO SMINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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