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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1831P |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-247VAR |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 60V的五（巴西）總裁| 12A條一（c）|至247VAR |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 372K |
| 代理商： | 2SD1831P |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1831Q | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-247VAR |
| 2SD1866TV2 | BJT |
| 2SD1867TV2 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SD1868B | TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-226VAR |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1832 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANS. TP-220FP80V 5A 30W BCE |
| 2SD1833 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANS. TO-220FP100V 7A 30W BCE |
| 2SD1834T100 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 DARL NPN 60V 1A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SD1835S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1835S-AA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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