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參數資料
| 型號： | 2SD1863TV2/P |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 98K |
| 代理商： | 2SD1863TV2/P |
2SD1898 / 2SD1733 / 2SD1768S / 2SD1863
Transistors
1/4
Power Transistor (80V, 1A)
2SD1898 / 2SD1733 / 2SD1768S / 2SD1863
!
Features
1) High VCEO, VCEO=80V
2) High IC, IC=1A (DC)
3) Good hFE linearity
4) Low VCE (sat)
5) Complements the 2SB1260 /
2SB1241 / 2SB1181
!
Structure
Epitaxial planer type
NPN silicon transistor
!
External dimensions (Unit : mm)
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
ROHM : SPT
EIAJ : SC-72
2SD1768S
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
ROHM : ATV
2SD1863
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : CPT3
EIAJ : SC-63
2SD1733
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : MPT3
EIAJ : SC-62
2SD1898
Abbreviated symbol : DF
Taping specifications
0.1
+
0.2
0.05
+0.1
0.1
+0.2
0.1
(3)
(2)
(1)
4.0±0.3
1.0±0.2
0.5±0.1
2.5
3.0±0.2
1.5±0.1
0.4±0.1
0.5±0.1
0.4±0.1
0.4
1.5
4.5
1.6±0.1
0.1
+0.2
+
0.3
0.1
2.3±0.2
0.65±0.1
0.9
0.75
5.5
1.5
±
0.3
6.5±0.2
5.1
C0.5
(3)
(2)
(1)
0.9
0.1
+0.2
1.0±0.2
0.55±0.1
9.5
±
0.5
2.5
1.5
2.3
0.5±0.1
3±0.2
(15Min.)
4±0.2
0.45
5
(1) (2) (3)
+0.15
0.05
2.5+0.4
0.1
3Min.
2±0.2
0.45
0.5
0.05
+0.15
1.0
6.8±0.2
2.5±0.2
1.05
0.45±0.1
2.54 2.54
0.5±0.1
0.9
4.4±0.2
14.5±0.5
(1)
(2)
(3)
0.65Max.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2SD1772Q | 1 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| 2SD1863TV2R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1864TV2Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1864TV2R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1866TV2 | 功能描述:達林頓晶體管 DARL NPN 60V 2A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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