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參數(shù)資料
型號(hào): 2SD1892Q
英文描述: TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | SOT-186
中文描述: 晶體管|晶體管|達(dá)林頓|叩| 100V的五(巴西)總裁| 5A條一(c)|的SOT - 186
文件頁(yè)數(shù): 1/6頁(yè)
文件大小: 372K
代理商: 2SD1892Q
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1893P TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 110V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-247VAR
2SD1893Q TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 110V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-247VAR
2SD1894P TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 140V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-247VAR
2SD1980TL Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SD2143TL Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1897 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD1898T100 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SD1898T100P 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1898T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1898T100R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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