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參數資料
| 型號： | 2SD1896E |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 100V的五（巴西）總裁| 5A條一（c）| TO - 220AB現有 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 131K |
| 代理商： | 2SD1896E |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1896F | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220AB |
| 2SD1897D | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SD1897F | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220VAR |
| 2SD1898P | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89 |
| 2SD1898Q | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD1897 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1898T100 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SD1898T100P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1898T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1898T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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