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參數資料
型號: 2SD1897/E
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP
封裝: TO-220FP, 3 PIN
文件頁數: 1/1頁
文件大小: 35K
代理商: 2SD1897/E
(96-768-D91)
(94S-314-D95)
317
Transistors
2SD1897
Transistors
2SD1757K
相關PDF資料
PDF描述
2SD1898-P-TP 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1899-ZL 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1899-Z-T1 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1899-Z-T1M 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1899-Z-T2K 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
2SD1898T100 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SD1898T100P 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1898T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1898T100R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1899-AZ 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:NPN PWR Transistor,60V,3.0A,TO-252 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 60V 3A 2-Pin(2+Tab) TO-252
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