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參數資料
| 型號： | 2SD1934R |
| 英文描述： | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 20V的五（巴西）總裁| 5A條一（c）|至92 |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 768K |
| 代理商： | 2SD1934R |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1937 | |
| 2SD1937R | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SD1937S | TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92 |
| 2SD1940D | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SD1940E | TRANSISTOR | BJT | NPN | 85V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-220 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD1936T-SSH | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| 2SD1938 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1938(F)-S(TX) | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述: |
| 2SD1938FSL | 功能描述:TRANS NPN AF AMP 20VCEO MINI RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1938FTL | 功能描述:TRANS NPN AF AMP 20VCEO MINI RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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