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參數(shù)資料
型號: 2SD19355
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-236VAR
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 15V的五(巴西)總裁| 800mA的一(c)|至236VAR
文件頁數(shù): 1/3頁
文件大小: 405K
代理商: 2SD19355
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PDF描述
2SD19356 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SD19357 TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-236VAR
2SD19358 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SD1936S TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SPAK
2SD1936T Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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2SD1938 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD1938(F)-S(TX) 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:
2SD1938FSL 功能描述:TRANS NPN AF AMP 20VCEO MINI RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1938FTL 功能描述:TRANS NPN AF AMP 20VCEO MINI RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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