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參數資料
| 型號： | 2SD1946DSUR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 10 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 100K |
| 代理商： | 2SD1946DSUR |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3337RF | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SJ181(S)TR | 0.5 A, 600 V, 25 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SB1245 | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC1921RR | 50 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SK1772HY | 1 A, 30 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD1947A(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, NPN, Power, D |
| 2SD1949Q | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1949T106 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SD1949T106Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1949T106R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 0.5A SOT-323 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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