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參數資料
| 型號： | 2SD1949T106Q |
| 英文描述： | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 50V五（巴西）總裁| 500mA的一（c）|的SOT - 23VAR |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 34K |
| 代理商： | 2SD1949T106Q |
2SC1775, 2SC1775A
Silicon NPN Epitaxial
ADE-208-1056 (Z)
1st. Edition
Mar. 2001
Application
Low frequency low noise amplifier
Complementary pair with 2SA872/A
Outline
1. Emitter
2. Collector
3. Base
TO-92 (1)
3
2
1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1949T106R | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23VAR |
| 2SD1960 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SD2004N | TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SIP |
| 2SD2004P | TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SIP |
| 2SD2004Q | TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SIP |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD1949T106R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 0.5A SOT-323 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1950 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR SC-6230V 2A .4W ECB SURFACE MOUNT |
| 2SD1950-T1-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:NPN PWR Transistor,25V,2A,P-MINIMOLD3 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 25V 2A 4-Pin(3+Tab) Power Mini-Mold |
| 2SD1950-T1-AZ(VK) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN |
| 2SD1950-T1-AZ(VL) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN |
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