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參數資料
型號: 2SD1985O
英文描述: Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 60V的五(巴西)總裁| 3A條一(c)|的SOT - 186
文件頁數: 1/9頁
文件大小: 768K
代理商: 2SD1985O
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PDF描述
2SD1985P TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-186
2SD1985Q Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SD1985R TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-186
2SD1990 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SD1990O TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB
相關代理商/技術參數
參數描述
2SD1987 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220FP 60V 4A 30W BCE
2SD1988 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220AB 45V 2A 25W BCE
2SD199 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 800V .5A 25W BEC
2SD1991A 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD1991A0A 功能描述:TRANS NPN GP AMP 50VCEO MT-1 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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