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參數資料
| 型號： | 2SD1990R |
| 英文描述： | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 60V的五（巴西）總裁| 4A條一（c）| TO - 220AB現有 |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 768K |
| 代理商： | 2SD1990R |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1991AQ | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP |
| 2SD1991AR | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SD2061F | TRANSISTOR | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220FP |
| 2SD1981 | NPN Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor for Driver Applications(驅動器應用的NPN硅外延平面型達林頓晶體管) |
| 2SD2000O | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-127VAR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD1991A | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1991A0A | 功能描述:TRANS NPN GP AMP 50VCEO MT-1 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1991AQSTA | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1991ARA | 功能描述:TRANS NPN GP AMP 50VCEO MT-1 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1992 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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