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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1991A |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN epitaxial planer type |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | MT1, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | 2SD1991A |
1
Transistor
2SD1991A
Rank
Q
R
S
h
FE1
160 ~ 260
210 ~ 340
290 ~ 460
Silicon NPN epitaxial planer type
For general amplification
Complementary to 2SB1320A
I
Features
G
High foward current transfer ratio h
FE
.
G
Low collector to emitter saturation voltage V
CE(sat)
.
G
Allowing supply with the radial taping.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Emitter
2:Collector
3:Base
MT1 Type Package
6.9
±
0.1
1.05
±
0.05
2.5
±
0.1
3
±
0
1
±
0
(1.45)
0.8
0.7
4.0
0
0
0
1
0.65 max.
0.45
+0.1
0
+
–
2.5
±
0.5
2.5
±
0.5
2
±
0
1
2
3
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
60
50
7
200
100
400
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
C
C
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
I
CBO
I
CEO
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE1*
h
FE2
V
CE(sat)
f
T
C
ob
Conditions
V
CB
= 20V, I
E
= 0
V
CE
= 20V, I
B
= 0
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
I
C
= 2mA, I
B
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= 10V, I
C
= 2mA
V
CE
= 2V, I
C
= 100mA
I
C
= 100mA, I
B
= 10mA
V
CB
= 10V, I
E
= –2mA, f = 200MHz
V
CB
= 10V, I
E
= 0, f = 1MHz
min
60
50
7
160
90
typ
0.1
150
3.5
max
1
1
460
0.3
Unit
μ
A
μ
A
V
V
V
V
MHz
pF
*
h
FE1
Rank classification
1.2
±
0.1
0.65
0.45
0.1
+
–
Note:In addition to the
lead type shown in
the upper figure, the
type as shown in
the lower figure is
also available.
(HW type)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1992A | Silicon NPN epitaxial planer type |
| 2SD1993 | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency and low-noise amplification) |
| 2SD1994A | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification and driver amplification) |
| 2SD1995 | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification) |
| 2SD1996 | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-voltage output amplification) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1991A0A | 功能描述:TRANS NPN GP AMP 50VCEO MT-1 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1991AQSTA | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1991ARA | 功能描述:TRANS NPN GP AMP 50VCEO MT-1 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1992 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1992A0A | 功能描述:TRANS NPN LF AMP 50VCEO MT-1 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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