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參數資料
型號: 2SD2010T105C
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 2 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 95K
代理商: 2SD2010T105C
相關PDF資料
PDF描述
2SB1596TE4 1500 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92LS
2SD1384T103 2000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92L
2SA1482T103Q 50 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92L
2SC5062 3000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92LS
2SD1931B 1500 mA, 70 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92L
相關代理商/技術參數
參數描述
2SD2011 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:1.2W PACKAGE POWER TAPED TRANSISTOR DESIGNED FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MECHINE
2SD2011A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | SIP
2SD2011B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | SIP
2SD2011C 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | SIP
2SD2012 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Silcon Pwr Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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