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參數資料
| 型號： | 2SD2011T105B |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 95K |
| 代理商： | 2SD2011T105B |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1902TE4 | 700 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92LS |
| 2SD2309T105A | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1256C | Si, POWER TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC4166T103 | 100 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92L |
| 2SD1929T103C | Si, POWER TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD2012 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Silcon Pwr Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2012(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS |
| 2SD2012(F,M) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN VCEO 60V VCE 0.4 Ic 2A Audio Freq App RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2012,F(J | 制造商:Toshiba 功能描述:The same specification as 2SD2012(F) Bulk 制造商:Toshiba 功能描述:0 |
| 2SD2012_03 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
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