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參數資料
| 型號： | 2SD2019 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Epitaxial(外延NPN晶體管) |
| 中文描述： | npn型硅外延（外延npn型晶體管） |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 33K |
| 代理商： | 2SD2019 |
2SD2019
Silicon NPN Epitaxial
Application
Low frequency power amplifier
Outline
TO-126 MOD
1. Emitter
2. Collector
3. Base
123
15 k
(Typ)
0.5 k
(Typ)
I
D
1
2
3
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C(peak)
P
C
*
Tj
150
V
Collector to emitter voltage
80
V
Emitter to base voltage
8
V
Collector current
1.5
A
Collector peak current
3
A
Collector power dissipation
1
10
W
Junction temperature
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
C to E diode forward current
Note:
1. Value at T
C
= 25°C.
I
D
*
1
1.5
A
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