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參數資料
型號: 2SD2062D
廠商: Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-247AE
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 80V的五(巴西)總裁| 7A條一(c)|至247AE
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代理商: 2SD2062D
相關PDF資料
PDF描述
2SD2062E Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SD2062F TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-247AE
2SA1788 TRANSISTORS
2SA1790J For high-frequency amplification
2SA1790 Silicon PNP epitaxial planer type
相關代理商/技術參數
參數描述
2SD2062E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-247AE
2SD2062F 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-247AE
2SD2063 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-92MOD 15V 1A .9W ECB
2SD2064 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY USHITA TRANSISTOR TOP-3FC 120V 6A 70W BCE 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD20640S 功能描述:TRANS NPN 120VCEO 6A TOP-3F RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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