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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2096D |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-225VAR |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 60V的五（巴西）總裁| 3A條一（c）|至225VAR |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 131K |
| 代理商： | 2SD2096D |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2096E | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-225VAR |
| 2SD2096F | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-225VAR |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD2096E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-225VAR |
| 2SD2096F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-225VAR |
| 2SD2096T114E | 功能描述:TRANS NPN 60V 3A HRT/TO-220FP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2097 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Low VCE(sat) transistor (strobe flash) |
| 2SD2097TV2Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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