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參數資料
型號: 2SD2098Q
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SC-62
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 20V的五(巴西)總裁| 5A條一(c)|律師- 62
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文件大小: 182K
代理商: 2SD2098Q
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PDF描述
2SD2098R Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SD2098S TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SC-62
2SD2118Q TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-252VAR
2SD2118R TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-252VAR
2SD2030B TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
相關代理商/技術參數
參數描述
2SD2098R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SC-62
2SD2098S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SC-62
2SD2098T100Q 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash)
2SD2098T100R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2098T100S 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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