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參數資料
| 型號： | 2SD2098T100Q |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | MPT3, SC-62, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 113K |
| 代理商： | 2SD2098T100Q |
2SD2098 / 2SD2118
Transistors
Rev.B
1/4
Low VCE(sat) transistor (strobe flash)
2SD2098 / 2SD2118
Features
1) Low VCE(sat).
VCE(sat) = 0.25V (Typ.)
(IC/IB = 4A / 0.1A)
2) Excellent DC current gain characteristics.
3) Complements the 2SB1386 / 2SB1412.
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
Dimensions (Unit : mm)
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
Limits
Unit
Collector-base voltage
VCBO
50
V
Collector-emitter voltage
VCEO
20
V
Emitter-base voltage
VEBO
6V
Collector current
IC
5
A(DC)
ICP
10
1
A(Pulse)
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
Collector power
dissipation
PC
0.5
2SD2098
2SD2118
2
1
10
W(Tc
=25°C)
W
1 Single pulse Pw=10ms
2 When mounted on a 40×40×0.7 mm ceramic board.
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : CPT3
EIAJ : SC-63
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : MPT3
EIAJ : SC-62
2SD2098
2SD2118
Abbreviated symbol : DJ
Denotes hFE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2118TLQ | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2101 | 10 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD2101 | 10 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2102 | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2104 | 8 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| 2SD2098T100S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2099 | 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor |
| 2SD2100 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Compact Motor Driver Applications |
| 2SD2101 | 制造商:JMNIC 制造商全稱:Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
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