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參數資料
| 型號： | 2SD2118F5TLS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 73K |
| 代理商： | 2SD2118F5TLS |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2124S | 1500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2124L | 1500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2128 | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2129 | 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2130 | 4 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD2118Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-252VAR |
| 2SD2118R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-252VAR |
| 2SD2118S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-252VAR |
| 2SD2118TLQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2118TLR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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