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參數資料
| 型號： | 2SD2132T93/VW |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | 2SD2132T93/VW |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1238TV2Q | 700 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2219R-YB | 12 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N1015D | 7.5 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB919Q-YA | 8 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SB1482T105/PQ | 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD2133 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD21330RA | 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 1A MT-3 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD21330SA | 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 1A MT-3 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2133Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-221VAR |
| 2SD2133R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-221VAR |
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