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參數資料
| 型號： | 2SD2138R |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-221VAR |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|達林頓|叩| 60V的五（巴西）總裁|甲一（c）|至221VAR |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 344K |
| 代理商： | 2SD2138R |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2139O | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-221VAR |
| 2SD2139P | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-221VAR |
| 2SD2139Q | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-221VAR |
| 2SD2140 | |
| 2SD2140P | TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-247VAR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD2139 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD21390PA | 功能描述:TRANS NPN LF 60VCEO 3A MT-4 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2139O | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-221VAR |
| 2SD2139P | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-221VAR |
| 2SD2139Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-221VAR |
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