型號: | 2SD2150S |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 3A I(C) | SC-62 |
中文描述: | 晶體管|晶體管|叩| 20V的五(巴西)總裁| 3A條一(c)|律師- 62 |
文件頁數: | 1/3頁 |
文件大?。?/td> | 107K |
代理商: | 2SD2150S |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2SC4103 | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
2SC4103M | TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-23VAR |
2SC4103N | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
2SC4103P | TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-23VAR |
2SC4103Q | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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2SD2150-SOT-89 | 制造商:JIANGSU 制造商全稱:Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN) |
2SD2150T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD2150T100S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD2151 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type(For power switching) |
2SD2151P | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | SOT-186 |