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參數資料
型號: 2SD2150T100
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 3000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數: 1/4頁
文件大?。?/td> 50K
代理商: 2SD2150T100
2SD2150
Transistors
Rev.A
1/3
Low Frequency Transistor (20V, 3A)
2SD2150
Features
1) Low VCE(sat).
VCE(sat) = 0.2V(Typ.)
IC / IB = 2A / 0.1A
2) Excellent current gain characteristics.
3) Complements the 2SB1424.
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
External dimensions (Unit : mm)
2SD2150
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : MPT3
EIAJ : SC-62
0.1
+
0.2
0.05
+0.1
0.1
+0.2
0.1
(3)
(2)
(1)
1.0
±
0.2
4.0
±
0.3
0.5
±
0.1
2.5
3.0
±0.2
1.5
±0.1
1.5
±0.1
0.4
±0.1
0.5
±0.1
0.4
±0.1
0.4
1.5
4.5
1.6
±0.1
Denotes hFE
Abbreviated symbol: CF
Absolute maximum ratings (Ta=25 C)
Parameter
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
40
V
A (DC)
W
°C
20
6
3
A (Pulse)
5
0.5
2
1
2
150
55 to +150
Symbol
Limits
Unit
1 Single pulse Pw=10ms
2 Mounted on a 40×40×0.7mm Ceramic substrate.
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
相關PDF資料
PDF描述
2SD2158 2 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220F
2SD2158AQ 2 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2161-AZ 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2161-L 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2162-K 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
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2SD2150T100S 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2151 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type(For power switching)
2SD2151P 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | SOT-186
2SD2151Q 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | SOT-186
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