型號: | 2SD2150T100 |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | 3000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
文件頁數: | 1/4頁 |
文件大?。?/td> | 50K |
代理商: | 2SD2150T100 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2SD2158 | 2 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220F |
2SD2158AQ | 2 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
2SD2161-AZ | 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
2SD2161-L | 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
2SD2162-K | 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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2SD2150T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD2150T100S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD2151 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type(For power switching) |
2SD2151P | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | SOT-186 |
2SD2151Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | SOT-186 |