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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2153E |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 2A I(C) | SC-62 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 25V的五（巴西）總裁|甲一（c）|律師- 62 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 344K |
| 代理商： | 2SD2153E |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2153U | TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 2A I(C) | SC-62 |
| 2SD2153V | TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 2A I(C) | SC-62 |
| 2SD2153W | TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 2A I(C) | SC-62 |
| 2SD2155O | TRANSISTOR | BJT | NPN | 180V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-247VAR |
| 2SD2155R | TRANSISTOR | BJT | NPN | 180V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-247VAR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD2153T100 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SD2153T100U | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 25V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2153T100V | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 25V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2153T100W | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN 25V 2A 4PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2153U | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 2A I(C) | SC-62 |
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