- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369158 > 2SD2166Q (Rohm CO.,LTD.) TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-126 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD2166Q |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-126 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 20V的五（巴西）總裁| 10A條一（c）|至126 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/4頁(yè) |
| 文件大小： | 159K |
| 代理商： | 2SD2166Q |
(96-229-D204)
External dimensions (Units: mm)
252
Transistors
Low V
CE(sat)
Transistor
(Strobe flash)
2SD2098 / 2SD2118 / 2SD2097 / 2SD2166
Features
1) Low V
CE(sat)
.
V
CE(sat)
= 0.25V (Typ.)
(I
C
/ I
B
= 4A / 0.1A)
2) Excellent DC current gain charac-
teristics.
3) Complements the
2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 /
2SB1436.
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2166R | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-126 |
| 2SD2099 | Compact Motor Driver Applications |
| 2SB1394 | Compact Motor Driver Applications |
| 2SD2101 | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管) |
| 2SD2103 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD2166R | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash) |
| 2SD2166S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-126 |
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| 2SD2167N | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 31V V(BR)CEO | 2A I(C) | SC-62 |
| 2SD2167P | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 31V V(BR)CEO | 2A I(C) | SC-62 |
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