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參數資料
| 型號： | 2SD2176TD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PCP, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 68K |
| 代理商： | 2SD2176TD |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2177AR | 2000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2177AS | 2000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2191TL2/W | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2191TL2U | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2191TL2 | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD2176-TD-E | 制造商:SANYO 功能描述:NPN 50V 1.2A 1000 PCP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS DARL NPN 50V 50A SOT89 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
| 2SD2177 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency output amplification) |
| 2SD217700A | 功能描述:TRANS NPN LF AMP 50VCE0 MT-2 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD21770SA | 功能描述:TRANS NPN LF AMP 50VCEO MT-2 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2177A | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency output amplification) |
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