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參數資料
型號: 2SD2178R
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-221VAR
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 50V五(巴西)總裁| 3A條一(c)|至221VAR
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文件大小: 344K
代理商: 2SD2178R
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PDF描述
2SD2178S TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-221VAR
2SD2179R TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 5A I(C) | SIP
2SD2179S TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 5A I(C) | SIP
2SD2183 TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-221VAR
2SD2185R TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-89
相關代理商/技術參數
參數描述
2SD2178S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-221VAR
2SD2179 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)
2SD21790RA 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 5A MT-2 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2179R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 5A I(C) | SIP
2SD2179S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 5A I(C) | SIP
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