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參數資料
| 型號： | 2SD2195T101C |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 109K |
| 代理商： | 2SD2195T101C |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2167T100 | 2000 mA, 35 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1561P | 2000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4672P | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2170B | 2000 mA, 110 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1132 | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD2196 | 制造商:SHINDENGEN 制造商全稱:Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd 功能描述:Darlington Transistor(15A NPN) |
| 2SD2196-4100 | 功能描述:達林頓晶體管 V=200 IC=15 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SD2196-7100 | 功能描述:達林頓晶體管 V=200 IC=15 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SD2196-7112 | 功能描述:達林頓晶體管 V=200 IC=15 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SD2197M | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 5A I(C) | SC-71 |
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