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參數資料
| 型號： | 2SD2203R |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220VAR |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 80V的五（巴西）總裁| 7A條一（c）|至220VAR |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 136K |
| 代理商： | 2SD2203R |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2203S | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220VAR |
| 2SB1433 | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SB1434R | TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | SIP |
| 2SB1434S | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SB1435R | TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-221VAR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD2203S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220VAR |
| 2SD2204 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH POWER SWITHCING, HAMMER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVE APPLICATIONS) |
| 2SD2204_06 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Triple Diffused Type |
| 2SD2206 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington Power Transistor) |
| 2SD2206(T6CANO,F,M | 功能描述:TRANS NPN 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 |
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