- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄371529 > 2SD2210 (PANASONIC CORP) Silicon NPN epitaxial planer type(For low-voltage output amplification) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SD2210 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-voltage output amplification) |
| 中文描述： | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINIP3-F1, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | 2SD2210 |
1
Transistor
2SD2210
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-voltage output amplification
For muting
For DC-DC converter
I
Features
G
Low collector to emitter saturation voltage V
CE(sat)
.
G
Low ON resistance R
on
.
G
High foward current transfer ratio h
FE
.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Base
2:Collector
3:Emitter
EIAJ:SC–62
Mini Power Type Package
4.5
±
0.1
1.6
±
0.2
2
±
0
2
±
0
0
1
+
–
4
+
–
3.0
±
0.15
1.5
±
0.1
0.4
±
0.08
0.5
±
0.08
1.5
±
0.1
0.4
±
0.04
45
°
marking
3
2
1
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C*
T
j
T
stg
Ratings
25
20
12
1
0.5
1
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
A
A
W
C
C
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
ON resistanse
Symbol
I
CBO
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE1*1
h
FE2
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
C
ob
R
on*3
Conditions
V
CB
= 25V, I
E
= 0
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
I
C
= 1mA, I
B
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= 2V, I
C
= 0.5A
*2
V
CE
= 2V, I
C
= 1A
*2
I
C
= 0.5A, I
B
= 20mA
I
C
= 0.5A, I
B
= 50mA
V
CB
= 10V, I
E
= –50mA, f = 200MHz
V
CB
= 10V, I
E
= 0, f= 1MHz
min
25
20
12
200
60
typ
0.13
200
10
1.0
max
1
800
0.4
1.2
Unit
μ
A
V
V
V
V
V
MHz
pF
Marking symbol :
IK
*1
h
FE1
Rank classification
Rank
R
S
T
h
FE1
200 ~ 350
300 ~ 500
400 ~ 800
Marking Symbol
IKR
IKS
IKT
*
Printed circuit board: Copper foil area of 1cm
2
or more, and the board
thickness of 1.7mm for the collector portion
*2
Pulse measurement
*3
R
on
Measurement circuit
V
B
I
B
=1mA
R
on
= V
1000(
)
A
–V
B
f=1kHz
V=0.3V
V
A
V
V
V
B
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2215 | Silicon NPN triple diffusion planar type(Silicon NPN triple diffusion planar type) |
| 2SD2215A | Silicon NPN triple diffusion planar type(Silicon NPN triple diffusion planar type) |
| 2SD2216J | SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE |
| 2SD2216L | For General Amplification |
| 2SD2216 | Silicon NPN epitaxial planer type |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD22100RL | 功能描述:TRANS NPN LF 20VCEO .5A MINI-PWR RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2210R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-62 |
| 2SD2210S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-62 |
| 2SD2210T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-62 |
| 2SD2211 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Power Transistor (160V , 1.5A) |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。