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參數資料
| 型號： | 2SD2211 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | 2SD2211 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2150 | 3000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2212T100B | 2000 mA, 70 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1900P | 1000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1386R | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1308P | 3000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD2211N | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SOT-89 |
| 2SD2211P | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SOT-89 |
| 2SD2211Q | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SOT-89 |
| 2SD2211T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2211T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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