欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: 2SD2215Q
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 750MA I(C) | TO-251VAR
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 250V五(巴西)總裁| 750mA電流一(c)|至251VAR
文件頁數: 1/3頁
文件大小: 59K
代理商: 2SD2215Q
1
Power Transistors
2SD2209
Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington
For power amplification and switching
I
Features
G
I type package enabling direct soldering of the radiating fin to
the printed circuit board, etc. of small electronic equipment.
I
Absolute Maximum Ratings
(T
C
=25C)
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
100
±
15
100
±
15
5
8
4
15
1.3
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
C
C
I
Electrical Characteristics
(T
C
=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector to emitter voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter saturation voltage
Transition frequency
Turn-on time
Storage time
Fall time
Energy handling capability
Symbol
I
CBO
I
EBO
V
CEO
h
FE1
h
FE2*1
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
t
on
t
stg
t
f
E
s/b*2
Conditions
V
CB
= 85V, I
E
= 0
V
EB
= 5V, I
C
= 0
I
C
= 5mA, I
B
= 0
V
CE
= 3V, I
C
= 0.5A
V
CE
= 3V, I
C
= 3A
I
C
= 3A, I
B
= 12mA
I
C
= 5A, I
B
= 20mA
I
C
= 3A, I
B
= 12mA
V
CE
= 10V, I
C
= 0.5A, f = 1MHz
I
C
= 3A, I
B1
= 12mA, I
B2
= –12mA,
V
CC
= 50V
I
C
= 1A, L = 100mH, R
BE
= 100
min
85
1000
1000
typ
20
50
max
100
2
115
10000
2
4
2.5
0.3
3.0
1.0
Unit
μ
A
mA
V
V
V
MHz
μ
s
μ
s
μ
s
mJ
*1
h
FE2
Rank classification
Rank
Q
P
h
FE2
1000 to 5000
2000 to 10000
T
C
=25
°
C
Ta=25
°
C
L coil
I
C
I
B1
V
in
t
W
–I
B2
Vclamp
V
CC
T.U.T
*2
E
s/b
Test circuit
Internal Connection
B
E
C
Unit: mm
1:Base
2:Collector
3:Emitter
I Type Package
Unit: mm
1:Base
2:Collector
3:Emitter
I Type Package (Y)
7
±
0
7.0
±
0.3
3.0
±
0.2
3.5
±
0.2
1
+
0
±
0
1
±
0
4.6
±
0.4
2
1
3
1.1
±
0.1
0.75
±
0.1
2.3
±
0.2
0.85
±
0.1
0.4
±
0.1
7.0
±
0.3
0.75
±
0.1
2.3
±
0.2
4.6
±
0.4
1.1
±
0.1
1
±
0
7
±
0
2.0
±
0.2
0.9
±
0.1
0 to 0.15
3.5
±
0.2
2
±
0
1
1
2
±
0
3.0
±
0.2
1
1
2
3
0 to 0.15
2.5
0.5 max.
相關PDF資料
PDF描述
2SD2220Q TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126VAR
2SD2220R TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126VAR
2SD2221
2SD2222P TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 160V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-247VAR
2SD2222Q TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 160V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-247VAR
相關代理商/技術參數
參數描述
2SD2216 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD2216G0L 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2216J 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
2SD2216J0L 功能描述:TRANS NPN LF 50VCEO .1A SS-MINI RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2216L 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:For General Amplification
主站蜘蛛池模板: 利津县| 新竹市| 正安县| 马鞍山市| 和田县| 读书| 平远县| 东莞市| 新化县| 涡阳县| 砀山县| 玉门市| 东阿县| 尼玛县| 九江市| 怀柔区| 广水市| 太白县| 休宁县| 轮台县| 佳木斯市| 梅州市| 留坝县| 湘西| 石河子市| 土默特左旗| 綦江县| 会泽县| 镇坪县| 赤水市| 新丰县| 鲁甸县| 高要市| 衢州市| 张家川| 邻水| 正镶白旗| 伽师县| 石狮市| 佛学| 宝丰县|