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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2219S-YA |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 12 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 84K |
| 代理商： | 2SD2219S-YA |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2219S-RB | 12 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2219S-RA | 12 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2219R-RB | 12 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2219-RA | 12 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2219S-YA | 12 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD2220 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For low-frequency amplification) |
| 2SD22200RA | 功能描述:TRANS NPN 80VCEO 1A MT-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2220Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126VAR |
| 2SD2220R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126VAR |
| 2SD2221 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
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