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參數資料
| 型號： | 2SD2240A |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN epitaxial planer type |
| 中文描述： | 50 mA, 185 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SSMINI3-G1, SC-75, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | 2SD2240A |
1
Transistor
2SD2240, 2SD2240A
Silicon NPN epitaxial planer type
For high breakdown voltage low-frequency and low-noise
amplification
I
Features
G
High collector to emitter voltage V
CEO
.
G
Low noise voltage NV.
G
SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment
and automatic insertion through the tape packing.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to
base voltage
Collector to
emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Base
2:Emitter
3:Collector
EIAJ:SC–75
SS–Mini Type Package
1.6
±
0.15
1
±
0
1
±
0
0
±
0
0
±
0
0
0
0
0
0.8
±
0.1
0.4
0.4
0
+
–
0
+
–
1
2
3
0.2
±
0.1
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
150
185
150
185
5
100
50
125
125
–55 ~ +125
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
C
C
2SD2240
2SD2240A
2SD2240
2SD2240A
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Collector to emitter
voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Noise voltage
Symbol
I
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE*
V
CE(sat)
f
T
C
ob
NV
Conditions
V
CB
= 100V, I
E
= 0
I
C
= 100
μ
A, I
B
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 10mA
I
C
= 30mA, I
B
= 3mA
V
CB
= 10V, I
E
= –10mA, f = 200MHz
V
CB
= 10V, I
E
= 0, f = 1MHz
V
CE
= 10V, I
C
= 1mA, G
V
= 80dB
R
g
= 100k
, Function = FLAT
min
150
185
5
130
typ
150
2.3
150
max
1
330
1
Unit
μ
A
V
V
V
MHz
pF
mV
2SD2240
2SD2240A
*1
h
FE1
Rank classification
Rank
R
S
h
FE
130 ~ 220
185 ~ 330
2SD2240
PR
PS
2SD2240A
LR
LS
Marking
Symbol
Marking symbol :
P
(2SD2240)
L
(2SD2240A)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2241 | NPN EPITAXIAL TYPE (SWITCHING APPLICATIONS) |
| 2SD2242 | Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For power amplification) |
| 2SD2242A | Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For power amplification) |
| 2SD2248 | NPN EPITAXIAL TYPE (HAMMER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVE APPLICATIONS FOR INDUCTIVE LOAD DRIVE) |
| 2SD2249 | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD2240AR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 185V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SC-75 |
| 2SD2240AS | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 185V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SC-75 |
| 2SD2240JRL | 功能描述:TRANS NPN 150VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2240R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SC-75 |
| 2SD2240S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SC-75 |
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