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參數資料
| 型號： | 2SD2253 |
| 廠商： | 永盛國際集團 |
| 英文描述： | SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED POWER |
| 中文描述： | 硅npn型三重擴散力 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | 2SD2253 |
GENERAL DESCRIPTION
HORIZONAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH
RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV
High Speed Switching Applications
QUICK REFERENCE DATA
LIMITING VALUES
SYMBOL
V
CB0
V
CEO
I
C
I
CM
P
tot
V
CEsat
PARAMETER
Collector-Base voltage
Collector-emitter voltage (open base)
Collector current (DC)
Collector current peak value
Total power dissipation
Collector-emitter saturation voltage
CONDITIONS
TYP
-
-
-
-
-
-
MAX
1700
600
6
12
50
5
UNIT
V
V
A
A
W
V
T
mb
I
C
= 5.0A; I
B
= 1.0A
25
V
F
t
f
Diode forward voltage
Fall time
I
F
= 6.0A
I
Csat
= 6.0A; f = 16KHz
1.6
0.3
2.0
0.7
V
s
SYMBOL
V
CB0
V
CEO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
PARAMETER
Collector-Base voltage
Collector-emitter voltage (open base)
Collector current (DC)
Collector current peak value
Base current (DC)
Base current peak value
Total power dissipation
Storage temperature
Junction temperature
CONDITIONS
MIN
-
-
-
-
-
-
-
-55
-
MAX
1700
600
6
12
3
UNIT
V
V
A
A
A
A
W
Tmb
25
50
150
150
SYMBOL
I
CE0
PARAMETER
Collector cut-off current
CONDITIONS
VCB =170 0V;
x
TYP
MAX
1.0
UNIT
mA
-
V
CEsat
V
BEsat
h
FE
V
F
f
T
t
t
f
Collector-emitter saturation voltages
Base-emitter satuation voltage
DC current gain
Diode forward voltage
Transition frequency
I
C
= 5.0A; I
B
= 1.0A
I
C
= 5.0A; I
B
= 1.0A
I
C
= 1A; V
CE
= 5V
I
F
= 6.0A
I
C
= 0.1A; V
CE
= 10V
-
-
8
1.6
1
5
1.2
28
2.0
-
V
V
V
MHz
Turn-off storage time Turn-off fall time
I
C
=6A,I
B(end)
=1.5A,
0.3
0.7
s
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TO-3PM
Wing Shing Computer Components Co., (H.K.)Ltd.
Homepage:
http://www.wingshing.com
Tel:(852)2341 9276 Fax:(852)2797 8153
E-mail: ws@
wingshing
.com
2SD2253
Silicon NPN Triple Diffused Power Transistor
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參數描述 |
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